新型非极化LED材料和器件
- 成果编号
- 01917
- 完成单位
- 南京大学
- 完成时间
- 2010年
- 成熟程度
- 研制阶段
- 价格
- 面议
- 服务产业领域
- 新材料
- 单位类别
- 985系统院所、211系统院所
| 科技计划 | 成果形式 |
|---|---|
| 新材料 | |
| 合作方式 | 参加活动 |
技术转让、技术服务、技术入股 |
|
| 专利情况 | |
未申请专利 |
| 综合介绍 |
|---|
该项目获国家863计划支持，开发了新型非极性LED材料生长和器件制作技术。 |
| 创新要点 |
用MOCVD方法在γ-LiAlO2衬底上生长M面GaN和非极化GaN/InGaN量子阱材料。由非极化GaN/InGaN量子阱材料的室温光致发光谱可以观察到GaN/InGaN/GaN用MOCVD方法，在γ-LiAlO2衬底上制备非极化GaN/InGaN LED结构材料和LED管芯，分别实现非极化GaN/InGaN LED结构材料和LED管芯的蓝色、绿色电致发光。 |
| 技术指标 |
LED结构材料的室温波长分别为363nm（FWHM：20nm）、414nm（FWHM：68nm）、519nm（FWHM：70nm）的发光峰，LED管芯的室温电致发光谱显示波长为522nm （正向偏压：10 V，电流：70 mA）的发光峰。 |
| 其他说明 |
| 姓名 | 对接成功后可查看 | 所在部门 | 对接成功后可查看 |
|---|---|---|---|
| 职务 | 对接成功后可查看 | 职称 | 对接成功后可查看 |
| 手机 | 对接成功后可查看 | 对接成功后可查看 | |
| 电话 | 对接成功后可查看 | 传真 | 对接成功后可查看 |
| 邮编 | 对接成功后可查看 | 通讯地址 | 对接成功后可查看 |
| 姓名 | 对接成功后可查看 | 所在部门 | 对接成功后可查看 |
|---|---|---|---|
| 职务 | 对接成功后可查看 | 职称 | 对接成功后可查看 |
| 手机 | 对接成功后可查看 | 对接成功后可查看 | |
| 电话 | 对接成功后可查看 | 传真 | 对接成功后可查看 |
| 邮编 | 对接成功后可查看 | 通讯地址 | 对接成功后可查看 |
| 序号 | 文件名称 |
|---|---|
| 1 | 科技成果登记表简介.doc |
