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InN材料及其太阳能电池应用

成果编号
06543
完成单位
南京大学
完成时间
2012年
成熟程度
研制阶段
价格
面议
服务产业领域
能源环保
单位类别
985系统院所
关注
科技计划 成果形式
新技术
合作方式 参加活动
技术转让、技术开发、技术咨询、技术服务、技术入股、人才培养、共建载体
专利情况
未申请专利

成果简介

综合介绍
南京大学通过承担国家“863”计划项目的研究,达到国际先进水平,并且已经取得了InGaN太阳能电池的制备技术,申请了多项国家发明专利。
创新要点
已经掌握InN材料以及高In组分InGaN材料的生长技术,研制的InN材料电子迁移率达到935cm2/v*s
技术指标
该太阳能电池采用In0.3Ga0.7N的薄膜材料,电极采用MSM结构。从图中可以看出,随着外加偏压的增大,电流响应率也随之逐渐增大。该电池的光电响应率达到2100A/W(450nm,3V)。  
其他说明

                                    

完成人信息

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