高效氮化镓基LED外延芯片技术
- 成果编号
- 02022
- 完成单位
- 中国科学院半导体研究所
- 完成时间
- 2012年
- 成熟程度
- 研制阶段
- 价格
- 面议
- 服务产业领域
- 新材料
- 单位类别
- 中国科学院系统院所
| 科技计划 | 成果形式 |
|---|---|
| 新技术、新材料 | |
| 合作方式 | 参加活动 |
技术转让、技术开发 |
|
| 专利情况 | |
正在申请 ,其中:发明专利 15 项 |
| 综合介绍 |
|---|
该项目采用蓝宝石图形衬底外延技术，通过优化高出光效率的芯片结构及封装技术，突破了白光LED的核心技术，已申请发明专利15 项，获授权发明专利 8项。 |
| 创新要点 |
研发了一种高效大功率氮化镓基LED外延芯片制备技术，通过芯片结构设计、外延生长技术提高内量子效率；采取表面纳米粗化技术、透明电极技术、电流阻挡层技术、光学膜技术等提高器件的光提取效率；成功开发低电压，高亮度的功率型LED，产品具有高光效、高成品率、制备简单等优点。 |
| 技术指标 |
高效LED发光器件，白光LED在350mA注入电流下发光效率达到130lm/W。 |
| 其他说明 |
| 姓名 | 对接成功后可查看 | 所在部门 | 对接成功后可查看 |
|---|---|---|---|
| 职务 | 对接成功后可查看 | 职称 | 对接成功后可查看 |
| 手机 | 对接成功后可查看 | 对接成功后可查看 | |
| 电话 | 对接成功后可查看 | 传真 | 对接成功后可查看 |
| 邮编 | 对接成功后可查看 | 通讯地址 | 对接成功后可查看 |
| 姓名 | 对接成功后可查看 | 所在部门 | 对接成功后可查看 |
|---|---|---|---|
| 职务 | 对接成功后可查看 | 职称 | 对接成功后可查看 |
| 手机 | 对接成功后可查看 | 对接成功后可查看 | |
| 电话 | 对接成功后可查看 | 传真 | 对接成功后可查看 |
| 邮编 | 对接成功后可查看 | 通讯地址 | 对接成功后可查看 |
| 序号 | 文件名称 |
|---|---|
| 1 | 科技成果登记表简介.doc |
