GaN基高压LED
- 成果编号
- 08421
- 完成单位
- 中国科学院半导体研究所
- 完成时间
- 2014年
- 成熟程度
- 试生产阶段
- 价格
- 面议
- 单位类别
- 中国科学院系统院所
| 科技计划 | 成果形式 |
|---|---|
| 新材料 | |
| 合作方式 | 参加活动 |
技术转让、技术开发、技术咨询、技术服务 |
|
| 专利情况 | |
正在申请 ,其中:发明专利 11 项 |
| 综合介绍 |
|---|
大功率LED的设计主要有两种途径：单颗大尺寸高电流低压LED（大电流功率芯片）和多个小功率LED在封装基板上串并联（小功率芯片集成）。大电流功率芯片在用于市电照明时电压转换幅度大而导致能耗大，变压驱动器的寿命也成为整个灯具寿命的短板。小功率芯片集成需要几十甚至上百个小功率芯片在基板上打线互连，互连可靠性低，光源面积大不利于光学设计，且小功率芯片的逐个安装排布导致封装成本高居不下。 |
| 创新要点 |
高压LED采用多个LED单元的芯片级互连，光源集中，互连可靠，封装成本低；无需大幅度的电压转换，驱动设计简单，小电流工作散热问题容易解决。因此，大范围采用高压LED是LED芯片发展和应用的未来趋势。 |
| 技术指标 |
1、发光效率：136.9lm/W @20mA 2、随意切割 3、多芯片串联，反向漏电小，反向击穿电压高； 4、与传统1W@350mA大功率芯片相比，光输出提高约11%，电流扩展更均匀； 5.电流小，散热要求低，可靠性高，1000小时光衰小于2%； 6.电压高，几个高压LED串联后可直接达到市电电压水平，变压损耗小，驱动设计简单。 |
| 其他说明 |
| 姓名 | 对接成功后可查看 | 所在部门 | 对接成功后可查看 |
|---|---|---|---|
| 职务 | 对接成功后可查看 | 职称 | 对接成功后可查看 |
| 手机 | 对接成功后可查看 | 对接成功后可查看 | |
| 电话 | 对接成功后可查看 | 传真 | 对接成功后可查看 |
| 邮编 | 对接成功后可查看 | 通讯地址 | 对接成功后可查看 |
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| 序号 | 文件名称 |
|---|---|
| 1 | 详细介绍.doc |
