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综合介绍
第三代半导体GaN具有高击穿、高速工作、耐高温等特性，本成果首次发布系列大功率GaN微波毫米波二极管器件，目前国内外尚无类似产品。相对于传统Si二极管，该系列GaN二极管具有显著的耐功率、高速等优势，工作频率涵盖1GHz~300GHz，满足现有绝大部分应用需求。本成果应用广泛，可用于船舶接收端的大功率限幅，提高抗干扰能力；用于无线输能或远距离无线充电，可大幅提高整流功率和效率，实现装置的小型化；用于太赫兹系统，可提高太赫兹固态源输出功率，实现太赫兹源小型化，为6G通信等未来应用奠定基础。
创新要点
利用横向和纵向结构的优势，实现工作频率涵盖1GHz~300GHz的系列高性能GaN二极管。 1）突破横向结构GaN二极管的低损伤刻蚀、先进阳极接触等关键工艺，研制出高击穿、低阻的GaN 横向二极管。以0.35pF GaN SBD为例，击穿电压达50V，电阻仅有1.6Ω。 2）掌握了准垂直GaN SBD的低寄生T型阳极制备、表面沟道刻蚀等系列核心技术，研制出超高频GaN SBD器件，截止频率达600GHz，击穿电压20V，远优于GaAs SBD。
技术指标
典型电容值：0.5pF、0.35pF、0.1pF、30fF等；击穿电压：20V~150V；截止频率最高达600GHz。
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