各类高介电材料系统的ALD制备技术
- 成果编号
- 02681
- 完成单位
- 南京大学
- 完成时间
- 2011年
- 成熟程度
- 研制阶段
- 价格
- 面议
- 服务产业领域
- 电子信息
- 单位类别
- 985系统院所、211系统院所
| 科技计划 | 成果形式 |
|---|---|
| 新技术 | |
| 合作方式 | 参加活动 |
技术转让、技术服务、技术入股 |
|
| 专利情况 | |
未申请专利 |
| 综合介绍 |
|---|
该项目研发了一种高介电材料系统ALD制备技术。 |
| 创新要点 |
| 技术指标 |
以各类高介电材料系统（如Al2O3/SiO2、Al2O3/HfO2及Ba(Sr)TiO3等）为代表，针对8英寸晶圆工艺，在合成高纯前驱体的基础上研发一套成熟的、与微电子工艺相兼容的ALD沉积工艺技术，以获得均匀性优、可靠性高的High-K薄膜材料。 |
| 其他说明 |
| 姓名 | 对接成功后可查看 | 所在部门 | 对接成功后可查看 |
|---|---|---|---|
| 职务 | 对接成功后可查看 | 职称 | 对接成功后可查看 |
| 手机 | 对接成功后可查看 | 对接成功后可查看 | |
| 电话 | 对接成功后可查看 | 传真 | 对接成功后可查看 |
| 邮编 | 对接成功后可查看 | 通讯地址 | 对接成功后可查看 |
| 姓名 | 对接成功后可查看 | 所在部门 | 对接成功后可查看 |
|---|---|---|---|
| 职务 | 对接成功后可查看 | 职称 | 对接成功后可查看 |
| 手机 | 对接成功后可查看 | 对接成功后可查看 | |
| 电话 | 对接成功后可查看 | 传真 | 对接成功后可查看 |
| 邮编 | 对接成功后可查看 | 通讯地址 | 对接成功后可查看 |
| 序号 | 文件名称 |
|---|---|
| 1 | 科技成果登记表简介.doc |
